AgGaGeS4 kristályok


  • Hullámfront torzítás: kevesebb, mint λ / 6 @ 633 nm
  • Mérettűrés: (Sz +/- 0,1 mm) x (H +/- 0,1 mm) x (H +0,2 mm / -0,1 mm)
  • Tiszta rekesz: > 90% központi terület
  • Laposság: λ / 6 @ 633 nm esetén T> = 1,0 mm
  • Felület minősége: Kaparás / ásás 20/10 / MIL-O-13830A
  • Párhuzamosság: jobb, mint 1 ív perc
  • Függőlegesség: 5 ívperc
  • Szögtűrés: Δθ <+/- 0,25o, Δφ <+/- 0,25o
  • Termék leírás

    Technikai paraméterek

    Vizsgálati jelentés

    Az AgGaGeS4 kristály az egyik szilárd oldatkristály, amely rendkívül hatalmas potenciállal rendelkezik az egyre fejlettebb új nemlineáris kristályok között. Magas, nemlineáris optikai együtthatót (d31 = 15pm / V), széles átviteli tartományt (0,5-11,5um) és alacsony abszorpciós együtthatót (0,05cm-1 1064nm-nél) örököl. Az ilyen kiváló tulajdonságok óriási előnyöket jelentenek a frekvenciaváltó közeli infravörös 1.064um Nd: YAG lézernek a közép-infravörös 4-11um hullámhosszúságba. Ezenkívül jobb teljesítményt nyújt, mint az eredeti kristályok a lézeres károsodási küszöbön és a fázisillesztési feltételek tartományán, amelyet a magas lézeres károsodási küszöb bizonyít, így kompatibilis a tartós és nagy teljesítményű frekvenciaátalakítással.
    Magasabb károsodási küszöbének és a fázisillesztési sémák sokféleségének köszönhetően az AgGaGeS4 alternatívává válhat a ma már széles körben elterjedt AgGaS2-nek nagy teljesítményű és specifikus alkalmazásokban.
    Az AgGaGeS4 kristály tulajdonságai:
    Felületi károsodási küszöb: 1,08J / cm2
    Testkárosítási küszöb: 1,39J / cm2

    Műszaki Paraméterek

    Hullámfront torzítás  kevesebb, mint λ / 6 @ 633 nm
    Mérettűrés (Sz +/- 0,1 mm) x (H +/- 0,1 mm) x (H +0,2 mm / -0,1 mm)
    Tiszta rekesz > 90% központi terület
    Laposság  λ / 6 @ 633 nm esetén T> = 1,0 mm
    Felületminőség  Kaparás / ásás 20/10 / MIL-O-13830A
    Párhuzamosság jobb, mint 1 ív perc
    Függőlegesség 5 ívperc
    Szögtűrés Δθ <+/- 0,25o, Δφ <+/- 0,25o

    20210122163152

    20210122163152