GSGG kristályok


  • Fogalmazás: (Gd2,6Ca0,4) (Ga4,1Mg0,25Zr0,65) O12
  • Kristályszerkezet: Köbös: a = 12,480 Å
  • Molekuláris wDielektromos állandóérték: 968,096
  • Olvadáspont: ~ 1730 oC
  • Sűrűség: ~ 7,09 g / cm3
  • Keménység: ~ 7,5 (mohns)
  • Törésmutató: 1.95
  • Dielektromos állandó: 30
  • Termék leírás

    technikai paraméterek

    GGG / SGGG / NGG gránátokat használnak a folyékony epitaxiához. Az SGGG szubatrátok dedikált szubsztrátok a magneto-optikai filmekhez. Az optikai kommunikációs eszközökhöz sok 1.3u és 1.5u optikai leválasztó szükséges, fő alkotóeleme a YIG vagy a BIG film mágneses mezőbe helyezték. 
    Az SGGG szubsztrátum kiválóan alkalmas bizmut-szubsztituált vasgránát epitaxiális filmek termesztésére, jó anyag YIG, BiYIG, GdBIG számára.
    Jó fizikai és mechanikai tulajdonságok, valamint kémiai stabilitás.
    Alkalmazások:
    YIG, BIG epitaxiás film;
    Mikrohullámú készülékek;
    Helyettesítse a GGG-t

    Tulajdonságok:

    Fogalmazás (Gd2,6Ca0,4) (Ga4,1Mg0,25Zr0,65) O12
    Kristályszerkezet Köbös: a = 12,480 Å,
    Molekuláris wDielektromos állandóérték 968,096
    Olvadáspont ~ 1730 oC
    Sűrűség ~ 7,09 g / cm3
    Keménység ~ 7,5 (mohns)
    Törésmutató 1.95
    Dielektromos állandó 30
    Dielektromos veszteség érintője (10 GHz) kb. 3,0 * 10_4
    Kristálynövekedési módszer Czochralski
    Kristálynövekedési irány <111>

    Technikai paraméterek:

    Irányultság <111> <100> ± 15 íven belül
    Hullámfront torzítás <1/4 hullám @ 632
    Átmérő tolerancia ± 0,05 mm
    Hossztűrés ± 0,2 mm
    Chamfer 0.10mm@45º
    Laposság <1/10 hullám 633 nm-nél
    Párhuzamosság <30 ív másodperc
    Függőlegesség <15 ív min
    Felületminőség 10/5 Scratch / Dig
    Clear Apereture > 90%
    A kristályok nagy méretei 2,8-76 mm átmérőjű