GSGG kristályok


  • Fogalmazás:(Gd2,6Ca0,4)(Ga4,1Mg0,25Zr0,65)O12
  • Kristályszerkezet:Köb: a =12,480 Å
  • Molekuláris w Dielektromos állandó:968 096
  • Olvadáspont:~1730 oC
  • Sűrűség:~ 7,09 g/cm3
  • Keménység:~ 7,5 (hónap)
  • Törésmutató:1.95
  • Dielektromos állandó: 30
  • Termék leírás

    technikai paraméterek

    A GGG/SGGG/NGG gránátokat folyékony epitaxiához használják. Az SGGG szubatrátok a magneto-optikai filmek dedikált szubsztrátumai. Az optikai kommunikációs eszközökben sok 1,3u és 1,5u-os optikai szigetelőt kell használni, fő összetevője YIG vagy BIG film mágneses térbe került.
    Az SGGG szubsztrát kiválóan alkalmas bizmuttal helyettesített vas-gránát epitaxiális filmek termesztésére, jó anyag YIG, BiYIG, GdBIG számára.
    Jó fizikai és mechanikai tulajdonságokkal és kémiai stabilitással rendelkezik.
    Alkalmazások:
    YIG, BIG epitaxia film;
    Mikrohullámú készülékek;
    Csere GGG

    Tulajdonságok:

    Fogalmazás (Gd2,6Ca0,4)(Ga4,1Mg0,25Zr0,65)O12
    Kristályszerkezet Köb: a =12,480 Å ,
    Molekuláris w Dielektromos állandó nyolc 968 096
    Olvadáspont ~1730 oC
    Sűrűség ~ 7,09 g/cm3
    Keménység ~ 7,5 (hónap)
    Törésmutató 1.95
    Dielektromos állandó 30
    Dielektromos veszteségi tangens (10 GHz) kb.3,0 * 10_4
    Kristálynövekedési módszer Czochralski
    A kristálynövekedés iránya <111>

    Technikai paraméterek:

    Irányultság <111> <100> ±15 ívmin belül
    Hullámfronti torzítás <1/4 hullám@632
    Átmérőtűrés ±0,05 mm
    Hossz tűrés ±0,2 mm
    Letörés 0,10 mm@45º
    Laposság <1/10 hullám 633 nm-en
    Párhuzamosság < 30 ív másodperc
    Függőlegesség < 15 ív min
    Felületi minőség 10/5 Scratch/Dig
    Tiszta nyílás >90%
    Nagy méretű kristályok 2,8-76 mm átmérőjű